Yn ddiweddar, mae Prifysgol Nanjing wedi datblygu offer a thechnoleg sleisio laser carbid silicon (SiC) ar raddfa fawr yn llwyddiannus, gan nodi cynnydd sylweddol ym maes offer prosesu deunydd lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth yn Tsieina. Mae'r dechnoleg hon nid yn unig yn datrys y broblem colli deunydd uchel mewn technegau torri traddodiadol ond hefyd yn gwella effeithlonrwydd cynhyrchu yn sylweddol, gan wneud cyfraniad sylweddol at ddatblygiad technoleg gweithgynhyrchu dyfeisiau carbid silicon.
Mae silicon carbid (SiC), fel deunydd strategol allweddol, yn hanfodol ar gyfer diogelwch amddiffyn cenedlaethol, y diwydiant modurol byd-eang, a'r diwydiant ynni. Mae'r dechnoleg newydd a ddatblygwyd gan Brifysgol Nanjing wedi gwneud gwelliannau sylweddol yn y perfformiad sleisio yn ystod y broses brosesu grisial sengl carbid silicon. Gall reoli difrod crac arwyneb y wafer yn effeithiol, a thrwy hynny wella'r lefel prosesu teneuo a chaboli dilynol.
"Mae gan dechnoleg torri aml-wifren draddodiadol golli deunydd uchel a chylchoedd prosesu hir wrth brosesu carbid silicon, sydd nid yn unig yn cynyddu costau cynhyrchu ond hefyd yn cyfyngu ar allu," esboniodd arweinydd y prosiect. Dim ond 50% yw cyfradd defnyddio deunydd y dull traddodiadol yn y cyswllt torri, ac mae'r golled ddeunydd ar ôl sgleinio a malu mor uchel â 75%.
Er mwyn goresgyn yr heriau hyn, mabwysiadodd y tîm technegol ym Mhrifysgol Nanjing offer sleisio laser, gan leihau colled deunydd yn sylweddol a gwella effeithlonrwydd cynhyrchu. Er enghraifft, gall ingot SiC 20mm gynhyrchu mwy na 50 o wafferi gan ddefnyddio technoleg sleisio laser, o'i gymharu â 30 wafferi o 350 micron a gynhyrchir gan dechnoleg llif gwifren draddodiadol. Ar ôl optimeiddio nodweddion geometrig waffer, gellir lleihau trwch un wafer i 200 micron, gan ganiatáu i ingot sengl gynhyrchu mwy nag 80 o wafferi.
Yn ogystal, mae gan yr offer sleisio laser a ddatblygwyd gan Brifysgol Nanjing fantais sylweddol hefyd o ran amser torri. Nid yw amser torri sleisen sengl ingot carbid silicon 6-modfedd lled-inswleiddio/dargludol yn fwy na 15 munud, a gall allbwn blynyddol dyfais sengl gyrraedd mwy na 30,000 darn. Mae'r golled fesul darn yn cael ei reoli'n effeithiol, gyda cholli ingot carbid silicon lled-inswleiddio wedi'i reoli o fewn 30 micron a math dargludol o fewn 60 micron, gan gynyddu'r gyfradd cynnyrch o fwy na 50%.
O ran rhagolygon cymhwyso'r farchnad, bydd offer sleisio laser carbid silicon ar raddfa fawr yn dod yn offer craidd ar gyfer sleisio 8- ingotau carbid silicon modfedd yn y dyfodol. Ar hyn o bryd, dim ond Japan all ddarparu offer o'r fath, sy'n ddrud ac dan embargo yn erbyn Tsieina. Mae'r galw domestig yn fwy na 1,000 uned, ac ni ellir defnyddio'r offer a ddatblygwyd gan Brifysgol Nanjing yn unig ar gyfer torri ingot carbid silicon a theneuo wafferi ond hefyd ar gyfer prosesu deunyddiau â laser fel gallium nitride, gallium ocsid, a diemwnt. , yn dangos rhagolygon cais marchnad eang.
