Mae laserau ffilm tenau gyda'u hansawdd trawst rhagorol ac effeithlonrwydd trosi optegol-i-optegol uchel wedi cael eu defnyddio'n fwyfwy eang mewn meysydd fel gweithgynhyrchu diwydiannol ac ymchwil wyddonol sylfaenol. Yn enwedig, profir mai technoleg laser tra chyflym yr adran denau yw'r ateb gorau i wireddu ynni pwls mawr, lled pwls uwch-fyr a phŵer cyfartalog uchel, a elwir hefyd yn "em y goron" y diwydiant laser, ac mae'n wych. arwyddocâd ar gyfer gweithgynhyrchu pen uchel, cynhyrchu golau uwchfioled eithafol a gwyddoniaeth attosecond.
Am gyfnod hir, mae Trafotek yr Almaen yn arwain y gwaith o ymchwilio a chynhyrchu laserau ffilm tenau yn unig, ac mae wedi cyflawni llwyddiant masnachol mawr. Yn ystod y 4 blynedd diwethaf, o dan gefnogaeth y Rhaglen Ymchwil a Datblygu Allweddol Genedlaethol "Arddangosfa Newydd a Deunyddiau Electronig Strategol" dan arweiniad yr Athro Ruan Shuangchen o Brifysgol Technoleg Shenzhen, mae tîm y prosiect wedi bod yn cydweithio â Sefydliad Ymchwil Plasma Laser Shanghai o yr Academi Ffiseg Beirianneg Tsieineaidd, Prifysgol Normal Jiangsu, Daqi Laser, Sefydliad Ymchwil Lled-ddargludyddion yr Academi Gwyddorau Tsieineaidd, Sefydliad Ymchwil Lled-ddargludyddion Trydydd Cenhedlaeth Jiangsu ac unedau eraill i wneud ymchwil dechnegol a chynhyrchu laserau ffilm tenau. Sefydliad Ymchwil Lled-ddargludyddion trydedd genhedlaeth ac unedau eraill i wneud ymchwil dechnegol, goresgyn y prosesu manwl o grisialau ffilm tenau, dylunio a phecynnu system sinc gwres grisial, 48- system bwmpio strôc, ceudod cyseiniant chwyddo adfywiol sefydlogrwydd uchel ac aml. - ehangu sianel a thechnolegau craidd allweddol eraill, y cyntaf yn Tsieina i gyflawni diamedr o > 20mm Yb: pecynnu crisial ffilm tenau YAG, datblygu system bwmpio strôc 48- dosbarth cilowat.
Ym mis Chwefror 2024, sylweddolodd y grŵp ddatblygiad mawr o laserau naddion tenau tra chyflym o ddosbarth cilowat yn Tsieina: uchafswm pŵer cyfartalog allbwn pwls o 1.075kW, lled pwls o 7ps, amlder ailadrodd o 500-800kHz y gellir ei addasu, uchafswm egni pwls o 2.1mJ, ansawdd trawst o M2<1.5, spot ellipticity of 0.96, for the China's attosecond light source, extreme UV lithography, new energy vehicles, 3C electronics and chip processing, aerospace and other high-end manufacturing industries, to provide advanced laser light source.
